教員詳細 教授 竹下 達也 TAKESHITA TATSUYA 所属 九州産業大学 理工学部 電気工学科 学位 博士(工学) ホームページ https://www.kyusan-u.ac.jp/J/ttake/ シーズ集 専攻分野・研究テーマ 専門分野 光通信デバイス、薄膜トランジスタ、信頼性, 電子、電気材料工学, 電子デバイス、電子機器 研究テーマ デバイスの高性能化に関する研究 、 光励起電流法を用いたデバイスの劣化に関する研究 授業科目 基礎ゼミナール , 光通信工学特論 , 卒業研究 , 通信システム工学Ⅱ , 電気工学概論 , 電気工学基礎 , 電気情報技術特別演習Ⅰ , 電気情報技術特別演習Ⅱ , 電気情報工学演習 , 電気情報工学実験 , 電子デバイス工学Ⅰ , 電子回路Ⅰ , 電子回路Ⅱ 学生のみなさんへのメッセージ 学生生活を大いに楽しんでください。そして、やりたいことを見つけることができれば、充実した学生生活を送ることができると思います。最初は苦しいと思いますが、我慢して続けてください。いづれ楽しくなる時期が必ずやってきます。それから、新しいことを経験して下さい。若い時期の経験はその後の人生に影響を与えます。いろいろ挑戦してみて下さい。 学歴 1983/03 鹿児島大学 工学部 電気工学科 卒業 1985/03 鹿児島大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 修了 1997/03 九州大学大学院 システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻 修了 九州大学 博士(工学) 研究業績 論文 Analysis of Multicrystalline Si Solar Cell Degradation Due To Reverse Bias and High Temperature Aging 2026 Analysis of Multicrystalline Si Solar Cell Improvement Using Laser-Beam-Induced Current Technique 2024/06/22 Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs Under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V 2018/06/05 Interior and Surface Degradation Analysis of Multicrystalline Si Solar Cell Module Using Laser-Beam-Induced Current Technique 2018/03 Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation 2017/03/15 全件表示(14件) 著書 「Handbook of Reliability and Materials Issues of Semiconductor Optical and Electrical Devices」 2013/09 学会発表 2026/02/27 異なるモードフィールド径をもつ光ファイバの低損失コネクタに関する検討 (口頭発表,一般) 2025/02/28 単心マルチコアファイバ接続における低損失化の検討 (口頭発表,一般) 2023/09/07 多結晶Si太陽電池の回復に関する検討 (口頭発表,一般) 2023/03/30 Classification of Commercial SiC-MOSFETs Based on Time-Dependent Gate-Current Characteristics (口頭発表,一般) 2022/09/17 バイアス高温試験を行った多結晶Si太陽電池の表面近傍の解析 (口頭発表,一般) 全件表示(83件)