教員詳細 教授 竹下 達也 TAKESHITA TATSUYA 所属 九州産業大学 理工学部 電気工学科 学位 博士(工学) ホームページ https://www.kyusan-u.ac.jp/J/ttake/ シーズ集 専攻分野・研究テーマ 専門分野 光通信デバイス、薄膜トランジスタ、信頼性, 電子、電気材料工学, 電子デバイス、電子機器 研究テーマ デバイスの高性能化に関する研究 、 光励起電流法を用いたデバイスの劣化に関する研究 授業科目 基礎ゼミナール , 光通信工学特論 , 卒業研究 , 通信システム工学Ⅱ , 電気工学概論 , 電気工学基礎 , 電気情報技術特別演習Ⅰ , 電気情報技術特別演習Ⅱ , 電気情報工学演習 , 電気情報工学実験 , 電子デバイス工学Ⅰ , 電子回路Ⅰ , 電子回路Ⅱ 学生のみなさんへのメッセージ 学生生活を大いに楽しんでください。そして、やりたいことを見つけることができれば、充実した学生生活を送ることができると思います。最初は苦しいと思いますが、我慢して続けてください。いづれ楽しくなる時期が必ずやってきます。それから、新しいことを経験して下さい。若い時期の経験はその後の人生に影響を与えます。いろいろ挑戦してみて下さい。 学歴 1983/03 鹿児島大学 工学部 電気工学科 卒業 1985/03 鹿児島大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 修了 1997/03 九州大学大学院 システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻 修了 九州大学 博士(工学) 研究業績 論文 Analysis of Multicrystalline Si Solar Cell Improvement Using Laser-Beam-Induced Current Technique 2024/06/22 Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs Under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V 2018/06/05 Interior and Surface Degradation Analysis of Multicrystalline Si Solar Cell Module Using Laser-Beam-Induced Current Technique 2018/03 Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation 2017/03/15 Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs 2016/03/08 全件表示(13件) 著書 「Handbook of Reliability and Materials Issues of Semiconductor Optical and Electrical Devices」 2013/09 学会発表 2021/09/24 逆バイアス印加を使った多結晶Si太陽電池の劣化試験の検討 (口頭発表,一般) 2020/09/26 LBIC法を用いた多結晶Si太陽電池の表面劣化解析 (口頭発表,一般) 2020/09/27 SiC-MOSFETとRaspberry PiでMPPT制御したソーラーLEDシステムの試作 (口頭発表,一般) 2019/09/20 LBIC法を用いたmc-Si太陽電池の表面近傍劣化の解析 (口頭発表,一般) 2016/09/20 光通信用半導体レーザの劣化姿態 (口頭発表,一般) 全件表示(81件)