教員詳細 教授 村上 英一 MURAKAMI EIICHI 所属 九州産業大学 理工学部 電気工学科 学位 博士(工学) ホームページ シーズ集 専攻分野・研究テーマ 専門分野 電力工学、電力変換、電気機器, 電子デバイス、電子機器, 電子、電気材料工学 研究テーマ SiC-MOSFETの信頼性に関する基盤研究 、 SiC-MOSFETのパワー回路応用に関する教育研究 授業科目 パワーデバイス工学 , 電子計測 , 電気計測 , 電気基礎実験Ⅰ , 電気工学導入演習 学生のみなさんへのメッセージ 約30年間、総合電機の研究所・半導体メーカーで半導体材料・デバイスの研究開発を担当しました。自動車用マイコンのプロジェクトでは、窒化膜トラップ型フラッシュメモリとCu配線の実用化に関わり、世界No.1に貢献しました。この経験をもとに、現在、省エネに期待されるSiC(炭化ケイ素)トランジスタを電気自動車や再生可能エネルギー分野で実用化するための信頼性やパワー回路応用の研究を進めています。九州には半導体や製造装置の工場が多くあり、皆さんの就職先としても興味を持ってもらえるように授業でもお話したいと思います。 学歴 1981/03/31 早稲田大学 理工学部 応用物理学科 卒業 1983/03/31 早稲田大学大学院 理工学研究科 物理学及び応用物理学博士前期課程 博士前期課程 修了 博士(工学) 早稲田大学 電子・電気材料工学 研究業績 論文 Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs 2022/05/31 Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-Annealed SiC-MOSFETs 2021/01/21 TDDB Lifetime Enhancement in SiC-MOSFETs under Gate-Switching Operations 2020/07/28 Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs Under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V 2018/06/05 Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation 2017/03/15 全件表示(17件) 所属学会 1983 応用物理学会 1997 ~ 1998 ∟ 応用物理学会誌 編集委員 1999 IEEE Electron Devices Society 2004 ~ 2005 ∟ International Electron Devices Meeting(CMOS and Interconnect Reliability) 論文委員 講師・講演 車載向け半導体デバイス信頼性の基礎 学会発表 2023/03/30 Classification of Commercial SiC-MOSFETs Based on Time-Dependent Gate-Current Characteristics (口頭発表,一般) 2021/10/26 Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs (ポスター,一般) 2020/09/27 SiC-MOSFETとRaspberry PiでMPPT制御したソーラーLEDシステムの試作 (口頭発表,一般) 2019/10/02 TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-swithing operation (ポスター,一般) 2019/03/10 SiC-MOSFETの温度依存(-60-200℃)ドレイン電流モデル (口頭発表,一般) 全件表示(28件) 主要学科目 パワーデバイス工学 取得特許 2016/07/12 Semiconductor integrated circuit device (US Patent No.9391606)