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教員紹介
タケシタ タツヤ
TAKESHITA TATSUYA
竹下 達也
所属
九州産業大学 理工学部 電気工学科
職種
教授
学会発表
2021/09/24
逆バイアス印加を使った多結晶Si太陽電池の劣化試験の検討 （口頭発表，一般）
2020/09/26
LBIC法を用いた多結晶Si太陽電池の表面劣化解析 （口頭発表，一般）
2020/09/27
SiC-MOSFETとRaspberry PiでMPPT制御したソーラーLEDシステムの試作 （口頭発表，一般）
2019/09/20
LBIC法を用いたmc-Si太陽電池の表面近傍劣化の解析 （口頭発表，一般）
2016/09/20
光通信用半導体レーザの劣化姿態 （口頭発表，一般）
2013/09/23
低温における半導体レーザの挙動 （口頭発表，一般）
2011/09
光励起電流法を用いた半導体レーザの劣化解析 （口頭発表，一般）
2010/09
ＯＢＩＣ法を用いたp-/n-InP埋込み構造ＦＰレーザの第一段劣化の解析 （口頭発表，一般）
2009/09
ガスセンシング用２μｍ波長帯半導体レーザ （口頭発表，一般）
2009/09
ＩｎＡｓ／ＩｎＰ ＭＱＷ－ＤＦＢレーザの安定動作の解析 （口頭発表，一般）
2009/03
２.３-μｍ波長高歪ＩｎＡｓ/ＩｎＰ ＭＱＷ-ＤＦＢレーザの長期安定動作 （口頭発表，一般）
2008/03
２.１-μｍ波長ＤＦＢレーザの長期安定動作の解析 （口頭発表，一般）
2019/09/29
LBIC法を用いた太陽電池表面近傍における面内分布に関する研究 （口頭発表，一般）
2023/09/07
多結晶Si太陽電池の回復に関する検討 （口頭発表，一般）
2023/03/30
Classification of Commercial SiC-MOSFETs Based on Time-Dependent Gate-Current Characteristics （口頭発表，一般）
2022/09/17
バイアス高温試験を行った多結晶Si太陽電池の表面近傍の解析 （口頭発表，一般）
2021/10/26
Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs （ポスター，一般）
2019/10/02
TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-swithing operation （ポスター，一般）
2017/09/19
Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V （ポスター，一般）
2016/09/27
Positive Bias Temperature Instability of SiC-MOSFETs Induced by Switching Operation (AC-PBTI) （ポスター，一般）
2015/09/29
Special Features in Stress Degradation of SiC-MOSFETs Observed in I-V Characteristics （ポスター，一般）
2013/09
低温における半導体レーザの挙動 （口頭発表，一般）
2010/02
ＯＢＩＣ法による通信用半導体レーザの劣化解析と信頼性 （口頭発表，一般）
2009/12
ＯＢＩＣモニタを使ったＩｎＡｓ／ＩｎＰ ＭＱＷ-ＤＦＢレーザの安定動作の解析 （口頭発表，一般）
2009/11
Failure analysis using optical evaluation technique (OBIC) of LDs for fiber optical communication （口頭発表，一般）
2008/04
光励起電流モニタを使ったＲｕ添加ＳＩＢＨ-ＩｎＧａＡｓＰ-ＤＦＢレーザの摩耗劣化の解析 （口頭発表，一般）
2008/02
通信用半導体レーザの信頼性と解析技術 （口頭発表，一般）
2007/10
2.33-?m wavelength InAs/InGaAs MQW DFB lasers grown by MOVPE （口頭発表，一般）
2007/09
ＯＢＩＣを用いた半導体ファブリ・ペローレーザの摩耗故障の解析 （口頭発表，一般）
2007/09
高温特Ｒｕ添加ＳＩＢＨ-ＤＦＢレーザの長期安定動作の解析 （口頭発表，一般）
2007/03
ＯＢＩＣモニタを用いたＤＦＢレーザの内部劣化の解析 （口頭発表，一般）
2006/10
高信頼ＳＩＢＨ構造1.5μmＤＦＢレーザ （口頭発表，一般）
2006/09
ハイメサＳＩＢＨ構造高信頼1.5μmＤＦＢレーザ （口頭発表，一般）
2006/06
高抵抗ＲｕドープＩｎＰ埋込み構造を用いた１.３μm帯ＩｎＧａＡｓＰ ＤＦＢレーザの１００℃,１０Gb/s動作 （口頭発表，一般）
2006/03
Highly reliable (<1000 FITs at 95?C) 1.5-?m DFB laser with high-mesa SIBH structure for CWDM systems （口頭発表，一般）
2006/03
Ｒｕドープ半絶縁性ＩｎＰ埋込み構造を用いた１.３μｍ帯直接変調ＤＦＢレーザの１００℃,１０Gb/s動作 （口頭発表，一般）
2005/09
光励起電流測定を用いた活性層近傍の濃度分析 （口頭発表，一般）
2005/03
Ｒｕドープ半絶縁性ＩｎＰ埋込み構造を用いた１.３μｍ帯直接変調ＤＦＢレーザ （口頭発表，一般）
2004/12
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 （口頭発表，一般）
2004/09
Reliable non-Zn-diffused InP/InGaAs avalanche photodiode with a buried n-InP layer operated by electron injection mode （口頭発表，一般）
2004/09
ＯＢＩＣモニタによるInGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 （口頭発表，一般）
2004/09
埋め込みｎ型領域を有するInP/InGaAsアバランシェフォトダイオード （口頭発表，一般）
2004/08
高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調ＤＦＢレーザ （口頭発表，一般）
2004/04
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの端面劣化姿態 （口頭発表，一般）
2003/09
ＯＣＴ応用1300nmＳＬＤにおけるリップル低減の検討 （口頭発表，一般）
2003/09
アブレーションエッチングを用いたＬＤ端面膜の反射率調整 （口頭発表，一般）
2003/04
半導体光増幅器（ＳＯＡ）の劣化解析 （口頭発表，一般）
1998/10
Degradation behavior in InGaAs/GaAs strained-quantum well lasers （口頭発表，一般）
1998/03
ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸レーザの劣化と端面の光励起電流の相関 （口頭発表，一般）
1997/09
プレーナ導波路型フォトダイオード（ＳＩＭＰＬＥ－ＷＧＰＤ）の信頼性評価 （口頭発表，一般）
1997/09
不連続光導波路解析のための有限要素法を用いた双方向ＭｏＬ－ＢＰＭ（ＦＥ－ＭｏＬ－ＢＰＭ）の提案 （口頭発表，一般）
1997/07
Reliability and degradation behavior of a InGaAsP/InP waveguide photodiode for subscriber systems （口頭発表，一般）
1997/03
半導体光導波路の端面反射率の３次元セミベクトル解析 （口頭発表，一般）
1996/12
偏波無依存ＬＤ型光ゲートスイッチ （口頭発表，一般）
1996/09
偏波無依存ＬＤ型光スイッチモジュール （口頭発表，一般）
1996/03
偏波無依存ゲート型光スイッチ （口頭発表，一般）
1994/09
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸構造の利得特性 （口頭発表，一般）
1992/03
１×ＮモノリシックＬＤＳＷ （口頭発表，一般）
1992/03
第二量子レベルを使ったＬＤ緩和振動周波数の高速化 （口頭発表，一般）
1991/10
Reliability and degradation of 980 nm InGaAs/GaAs strained-layer quantum well lasers （口頭発表，一般）
1990/10
Ｅｒ添加ファイバにおける増幅特性の比屈折率差依存性 （口頭発表，一般）
1990/09
０．９８μｍ帯ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸レーザの高出力特性 （口頭発表，一般）
1990/09
ファイバアンプ用０.９８μｍ帯ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸レーザの高安定動作 （口頭発表，一般）
1990/09
高安定０.９８μｍ帯ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸レーザ （口頭発表，一般）
1990/08
0.98-?m laser diode pumped erbium-doped fiber amplifiers with a gain coefficient of 7.6 dB/mW （口頭発表，一般）
1990/08
量子井戸・歪超格子構造の結晶成長 （口頭発表，一般）
1990/06
歪超格子レーザとファイバアンプ （口頭発表，一般）
1990/03
Ｅｒ３＋ドープファイバ光増幅器励起用高出力ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸レーザ （口頭発表，一般）
1990/03
半導体レーザ増幅器の雑音特性 （口頭発表，一般）
1990/02
Stable, high-power 0.98-?m InGaAs/GaAs strained quantum well ridge waveguide lasers for pumping fiber amplifier （口頭発表，一般）
1990/02
０.９８μｍ帯ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸レーザとＥｒ３＋ドープファイバ光増幅器特性 （口頭発表，一般）
1990/02
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸レーザ （口頭発表，一般）
1989/12
０.９８μｍ帯ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓひずみ量子井戸リッジ導波型レーザ （口頭発表，一般）
1989/09
Low-threshold high-efficiency strained-layer InGaAs single-quantum-well ridge waveguide lasers （口頭発表，一般）
1989/09
０.９８μｍ帯ＬＤ励起光ファイバ増幅器 （口頭発表，一般）
1989/09
高出力ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸レーザ （口頭発表，一般）
1989/09
低閾値ＩｎＧａＡｓ量子井戸レーザ （口頭発表，一般）
1989/07
0.98-?m InGaAs strained quantum well lasers for erbium-doped fiber optical amplifiers （口頭発表，一般）
1987/10
細線構造多結晶Ｓｉ-ＴＦＴの検討 （口頭発表，一般）
1987/07
多結晶Ｓｉを用いた高耐圧ＴＦＴ （口頭発表，一般）
1987/03
細線Ｐｏｌｙ-Ｓｉの電気的特性とＴＦＴへの応用 （口頭発表，一般）
