教員紹介

• 2021/10/26 Significant Differences in BTI and TDDB Characteristics of Commercial Planar SiC-MOSFETs （ポスター，一般）

• 2020/09/27 SiC-MOSFETとRaspberry PiでMPPT制御したソーラーLEDシステムの試作 （口頭発表，一般）

• 2019/10/02 TDDB lifetime enhancement of SiC-MOSFETs under gate-swithing operation （ポスター，一般）

• 2019/03/10 SiC-MOSFETの温度依存（-60-200℃）ドレイン電流モデル （口頭発表，一般）

• 2019/03/10 SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果 （口頭発表，一般）

• 2018/03/20 SiC-MOSFETのPBTストレス後回復の温度依存性 （口頭発表，一般）

• 2017/09/19 Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V （ポスター，一般）

• 2017/03/17 FNストレスによるSiC-MOSFETゲート電流の特異な挙動 （口頭発表，一般）

• 2016/09/27 Positive Bias Temperature Instability of SiC-MOSFETs Induced by Switching Operation (AC-PBTI) （口頭発表，一般）

• 2016/03/20 SiC-MOSFETのSPICE用ドレイン電流モデル （口頭発表，一般）

• 2016/03/20 SiC-MOSFETのスイッチング動作による劣化(AC-PBTI) （口頭発表，一般）

• 2015/09/29 Special Features in Stress Degradation of SiC-MOSFETs Observed in I-V Characteristics （ポスター，一般）

• 2015/03/13 I-V特性から見たSiC-MOSFETストレス劣化の特徴 （口頭発表，一般）

• 2014/03/18 界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC-MOSFETのキャリア移動度モデル （口頭発表，一般）

• 2011 Comprehensive lifetime prediction for intrinsic and extrinsic TDDB failures in Cu/Low-k interconnects （口頭発表，一般）

• 2011 High Reliable Strain Measurement For Power Devices Using STEM-CBED Method （口頭発表，一般）

• 2010 Modeling of Cu IMD-TDDB caused by extrinsic defects （口頭発表，一般）

• 2009 A New Detection Method of Soft Breakdown in Ultra-Thin Gate Oxides by Light-Emission Analysis （ポスター，一般）

• 2008/07 Via EMのVia合わせずれ依存性～Al配線系とCu配線系比較 （口頭発表，一般）

• 2008 A STUDY of SRAM NBTI BY OTF MEASUREMENT （口頭発表，一般）

• 2008 ANALYSIS OF NI SILICIDE ABNORMAL GROWTH MECHANISM USING ADVANCED TEM TECHNIQUES （口頭発表，一般）

• 2007/09 Cu SIV信頼性における多数個ビアレイアウト効果 （口頭発表，一般）

• 2006 A Comprehensive Study of FN Degradation for Driver MOSFETs in Nonvolatile Memory Circuit （口頭発表，一般）

• 2001 Impact of Low-Standby-Power Device Design on Hot Carrier Reliability （口頭発表，一般）

• 1996 δ-doped source/drain 0.1-um n-MOSFETs with extremely shallow junctions （口頭発表，一般）

• 1990 ULTRA HIGH HOLE MOBILITY IN STRAIN-CONTROLLED Si-Ge MODULATION-DOPED FET （口頭発表，一般）

• 1987/03 マイクロ波プラズマ酸化のモデル解析 （口頭発表，一般）